Control of Epitaxial Graphene Thickness on 4H-SiC(0001) and Buffer Layer Removal through Hydrogen Intercalation: Fid-Bau Portal

Control of Epitaxial Graphene Thickness on 4H-SiC(0001) and Buffer Layer Removal through Hydrogen Intercalation

Hassan, J. / Virojanadara, C. / Meyer, A. / Ivanov, I.G. / Flege, J.I. / Watcharinyanon, S. / Falta, J. / Johansson, L.I. / Janzen, E.

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Hassan, J. / Virojanadara, C. / Meyer, A. / Ivanov, I.G. / Flege, J.I. / Watcharinyanon, S. / Falta, J. / Johansson, L.I. / Janzen, E.

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Titel:

Control of Epitaxial Graphene Thickness on 4H-SiC(0001) and Buffer Layer Removal through Hydrogen Intercalation

Beteiligte:

Hassan, J. (Autor:in) / Virojanadara, C. (Autor:in) / Meyer, A. (Autor:in) / Ivanov, I.G. (Autor:in) / Flege, J.I. (Autor:in) / Watcharinyanon, S. (Autor:in) / Falta, J. (Autor:in) / Johansson, L.I. (Autor:in) / Janzen, E. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 717/720 ; 605-608

Erscheinungsdatum:

01.01.2012

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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