4H-SiC Trench Structure Schottky Diodes: Fid-Bau Portal

4H-SiC Trench Structure Schottky Diodes

Aketa, M. / Yokotsuji, Y. / Miura, M. / Nakamura, T.

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Titel:

4H-SiC Trench Structure Schottky Diodes

Beteiligte:

Aketa, M. (Autor:in) / Yokotsuji, Y. (Autor:in) / Miura, M. (Autor:in) / Nakamura, T. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 717/720 ; 933-936

Erscheinungsdatum:

01.01.2012

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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