4H-SiC Trench Schottky Diodes for Next Generation Products: Fid-Bau Portal

4H-SiC Trench Schottky Diodes for Next Generation Products

Zhang, Q.C.J. / Duc, J. / Mieczkowski, V. / Hull, B. / Allen, S. / Palmour, J.

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Titel:

4H-SiC Trench Schottky Diodes for Next Generation Products

Beteiligte:

Zhang, Q.C.J. (Autor:in) / Duc, J. (Autor:in) / Mieczkowski, V. (Autor:in) / Hull, B. (Autor:in) / Allen, S. (Autor:in) / Palmour, J. (Autor:in) / Lebedev, A.A. / Davydov, S.Y. / Ivanov, P.A. / Levinshtein, M.E.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2012 Selected, peer reviewed papers from the 9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2012), September 2-6, 2012, St. Petersburg, Russian Federation ; 781-784

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 740/742

Erscheinungsdatum:

01.01.2013

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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