4H-SiC MOSFETs with Si-Like Low-Frequency Noise Characteristics: Fid-Bau Portal

4H-SiC MOSFETs with Si-Like Low-Frequency Noise Characteristics

Rumyantsev, S. / Shur, M.S. / Levinshtein, M. / Ivanov, P.A. / Palmour, J. / Agarwal, A.K. / Dhar, S.

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Titel:

4H-SiC MOSFETs with Si-Like Low-Frequency Noise Characteristics

Beteiligte:

Rumyantsev, S. (Autor:in) / Shur, M.S. (Autor:in) / Levinshtein, M. (Autor:in) / Ivanov, P.A. (Autor:in) / Palmour, J. (Autor:in) / Agarwal, A.K. (Autor:in) / Dhar, S. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 717/720 ; 1105-1108

Erscheinungsdatum:

01.01.2012

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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