Low-frequency noise suppression and dc characteristics enhancement in sub-mm metamorphic p-MOSFETs with strained Si0.3Ge0.7 channel grown by MBE: Fid-Bau Portal

Low-frequency noise suppression and dc characteristics enhancement in sub-mm metamorphic p-MOSFETs with strained Si0.3Ge0.7 channel grown by MBE

Myronov, M. / Durov, S. / Mironov, O. A. / Parker, E. H. / Whall, T. E. / Hackbarth, T. / Hock, G. / Herzog, H. J. / Konig, U.

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Titel:

Low-frequency noise suppression and dc characteristics enhancement in sub-mm metamorphic p-MOSFETs with strained Si0.3Ge0.7 channel grown by MBE

Beteiligte:

Myronov, M. (Autor:in) / Durov, S. (Autor:in) / Mironov, O. A. (Autor:in) / Parker, E. H. (Autor:in) / Whall, T. E. (Autor:in) / Hackbarth, T. (Autor:in) / Hock, G. (Autor:in) / Herzog, H. J. (Autor:in) / Konig, U. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 224 ; 265-269

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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