Preferential growth of Si films on 6H-SiC(0001) C-face: Fid-Bau Portal

Preferential growth of Si films on 6H-SiC(0001) C-face

Xie, L. f. / Chen, Z. m. / Li, L. b. / Yang, C. / He, X. m. / Ye, N.

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Titel:

Preferential growth of Si films on 6H-SiC(0001) C-face

Beteiligte:

Xie, L. f. (Autor:in) / Chen, Z. m. (Autor:in) / Li, L. b. (Autor:in) / Yang, C. (Autor:in) / He, X. m. (Autor:in) / Ye, N. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 261 ; 88-91

Erscheinungsdatum:

01.01.2012

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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