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    Titel:

    Role of point defects on B diffusion in Ge

    Beteiligte:

    Scapellato, G. G. (Autor:in) / Bruno, E. (Autor:in) / Priolo, F. (Autor:in) / Bracht, H. / Impellizzeri, G.

    Erschienen in:

    New Aspects of Si- and Ge-based Materials and Devices ; 656-668

    MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 15

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2012

    Format / Umfang:

    13 pages

    ISSN:

    1369-8001

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.38152

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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