Point defect diffusion in Si and SiGe revisited through atomistic simulations: Fid-Bau Portal

Point defect diffusion in Si and SiGe revisited through atomistic simulations

Pochet, P. / Caliste, D.

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Titel:

Point defect diffusion in Si and SiGe revisited through atomistic simulations

Beteiligte:

Pochet, P. (Autor:in) / Caliste, D. (Autor:in) / Bracht, H. / Impellizzeri, G.

Erschienen in:

New Aspects of Si- and Ge-based Materials and Devices ; 675-690

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 15

Erscheinungsdatum:

01.01.2012

Format / Umfang:

16 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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