p-type conduction in ion-implanted amorphized Ge: Fid-Bau Portal

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Romano, L. / Impellizzeri, G. / Grimaldi, M. G.

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Titel:

p-type conduction in ion-implanted amorphized Ge

Beteiligte:

Romano, L. (Autor:in) / Impellizzeri, G. (Autor:in) / Grimaldi, M. G. (Autor:in) / Bracht, H. / Impellizzeri, G.

Erschienen in:

New Aspects of Si- and Ge-based Materials and Devices ; 703-706

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 15

Erscheinungsdatum:

01.01.2012

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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