High-Hole-Mobility Field-Effect Transistors Based on Co-Benzobisthiadiazole-Quaterthiophene: Fid-Bau Portal

High-Hole-Mobility Field-Effect Transistors Based on Co-Benzobisthiadiazole-Quaterthiophene

Fan, J. / Yuen, J. D. / Cui, W. / Seifter, J. / Mohebbi, A. R. / Wang, M. / Zhou, H. / Heeger, A. / Wudl, F.

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Titel:

High-Hole-Mobility Field-Effect Transistors Based on Co-Benzobisthiadiazole-Quaterthiophene

Beteiligte:

Fan, J. (Autor:in) / Yuen, J. D. (Autor:in) / Cui, W. (Autor:in) / Seifter, J. (Autor:in) / Mohebbi, A. R. (Autor:in) / Wang, M. (Autor:in) / Zhou, H. (Autor:in) / Heeger, A. (Autor:in) / Wudl, F. (Autor:in)

Erschienen in:

ADVANCED MATERIALS -DEERFIELD BEACH THEN WEINHEIM- ; 24 ; 6164-6168

Erscheinungsdatum:

01.01.2012

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0935-9648

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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