Mid-Infrared HgTe/As2S3 Field Effect Transistors and Photodetectors: Fid-Bau Portal

Mid-Infrared HgTe/As2S3 Field Effect Transistors and Photodetectors

Lhuillier, E. / Keuleyan, S. / Zolotavin, P. / Guyot-Sionnest, P.

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Titel:

Mid-Infrared HgTe/As2S3 Field Effect Transistors and Photodetectors

Beteiligte:

Lhuillier, E. (Autor:in) / Keuleyan, S. (Autor:in) / Zolotavin, P. (Autor:in) / Guyot-Sionnest, P. (Autor:in)

Erschienen in:

ADVANCED MATERIALS -DEERFIELD BEACH THEN WEINHEIM- ; 25 ; 137-141

Erscheinungsdatum:

01.01.2013

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0935-9648

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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