Growth and conduction mechanism of As-doped p-type ZnO thin films deposited by MOCVD: Fid-Bau Portal

Growth and conduction mechanism of As-doped p-type ZnO thin films deposited by MOCVD

Ma, Y. / Gao, Q. / Wu, G. G. / Li, W. C. / Gao, F. B. / Yin, J. Z. / Zhang, B. L. / Du, G. T.

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Titel:

Growth and conduction mechanism of As-doped p-type ZnO thin films deposited by MOCVD

Beteiligte:

Ma, Y. (Autor:in) / Gao, Q. (Autor:in) / Wu, G. G. (Autor:in) / Li, W. C. (Autor:in) / Gao, F. B. (Autor:in) / Yin, J. Z. (Autor:in) / Zhang, B. L. (Autor:in) / Du, G. T. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS RESEARCH BULLETIN ; 48 ; 1239-1243

Erscheinungsdatum:

01.01.2013

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0025-5408

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11 / 620

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