Crack Behavior of Si-Doped GaAs Crystals Grown by Pulling-Down Method: Fid-Bau Portal

Crack Behavior of Si-Doped GaAs Crystals Grown by Pulling-Down Method

Fang, Y.Z. / Jin, M. / He, Q.B. / Shen, H. / Jiang, G.J. / Xu, J.Y.

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Titel:

Crack Behavior of Si-Doped GaAs Crystals Grown by Pulling-Down Method

Beteiligte:

Fang, Y.Z. (Autor:in) / Jin, M. (Autor:in) / He, Q.B. (Autor:in) / Shen, H. (Autor:in) / Jiang, G.J. (Autor:in) / Xu, J.Y. (Autor:in) / Zhang, C. / Zhang, L.

Erschienen in:

Materials Science and Nanotechnology I ; 88-91

KEY ENGINEERING MATERIALS ; 531/532

Erscheinungsdatum:

01.01.2013

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

1013-9826

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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