Optimising the Growth of Few-Layer Graphene on Silicon Carbide by Nickel Silicidation: Fid-Bau Portal

Optimising the Growth of Few-Layer Graphene on Silicon Carbide by Nickel Silicidation

Escobedo-Cousin, E. / Vassilevski, K. / Hopf, T. / Wright, N. / O Neill, A. / Horsfall, A. / Goss, J. / Cumpson, P.

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Titel:

Optimising the Growth of Few-Layer Graphene on Silicon Carbide by Nickel Silicidation

Beteiligte:

Escobedo-Cousin, E. (Autor:in) / Vassilevski, K. (Autor:in) / Hopf, T. (Autor:in) / Wright, N. (Autor:in) / O Neill, A. (Autor:in) / Horsfall, A. (Autor:in) / Goss, J. (Autor:in) / Cumpson, P. (Autor:in) / Lebedev, A.A. / Davydov, S.Y.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2012 Selected, peer reviewed papers from the 9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2012), September 2-6, 2012, St. Petersburg, Russian Federation ; 121-124

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 740/742

Erscheinungsdatum:

01.01.2013

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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