Electrophysical and Optical Properties of 4H-SiC Irradiated with Xe Ions: Fid-Bau Portal

Electrophysical and Optical Properties of 4H-SiC Irradiated with Xe Ions

Chuchvaga, N. / Bogdanova, E. / Strelchuk, A. / Kalinina, E.V. / Shustov, D.B. / Zamoryanskaya, M. / Shkuratov, V.

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Titel:

Electrophysical and Optical Properties of 4H-SiC Irradiated with Xe Ions

Beteiligte:

Chuchvaga, N. (Autor:in) / Bogdanova, E. (Autor:in) / Strelchuk, A. (Autor:in) / Kalinina, E.V. (Autor:in) / Shustov, D.B. (Autor:in) / Zamoryanskaya, M. (Autor:in) / Shkuratov, V. (Autor:in) / Lebedev, A.A. / Davydov, S.Y. / Ivanov, P.A.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2012 Selected, peer reviewed papers from the 9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2012), September 2-6, 2012, St. Petersburg, Russian Federation ; 625-628

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 740/742

Erscheinungsdatum:

01.01.2013

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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