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    Dokumentinformationen
    Titel:

    15 kV IGBTs in 4H-SiC

    Beteiligte:

    Ryu, S.H. (Autor:in) / Capell, C. (Autor:in) / Jonas, C. (Autor:in) / O Loughlin, M. (Autor:in) / Cheng, L. (Autor:in) / Lam, K. (Autor:in) / Burk, A. (Autor:in) / Richmond, J. (Autor:in) / Clayton, J. (Autor:in) / Hefner, A. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Silicon Carbide and Related Materials 2012 Selected, peer reviewed papers from the 9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2012), September 2-6, 2012, St. Petersburg, Russian Federation ; 954-957

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 740/742

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2013

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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