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    Dokumentinformationen
    Titel:

    20 kV 4H-SiC N-IGBTs

    Beteiligte:

    Ryu, S.H. (Autor:in) / Capell, C. (Autor:in) / Jonas, C. (Autor:in) / O Loughlin, M.J. (Autor:in) / Clayton, J. (Autor:in) / van Brunt, E. (Autor:in) / Lam, K. (Autor:in) / Richmond, J. (Autor:in) / Kadavelugu, A. (Autor:in) / Bhattacharya, S. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Silicon Carbide and Related Materials 2013 ; 1030-1033

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 778/780

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2014

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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