In situ preparation of high dielectric constant, low-loss ferroelectric BaTiO3 films on Si at 500^oC: Fid-Bau Portal

In situ preparation of high dielectric constant, low-loss ferroelectric BaTiO3 films on Si at 500^oC

Yuan, M. / Zhang, W. / Wang, X. / Pan, W. / Wang, L. / Ouyang, J.

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Titel:

In situ preparation of high dielectric constant, low-loss ferroelectric BaTiO3 films on Si at 500^oC

Beteiligte:

Yuan, M. (Autor:in) / Zhang, W. (Autor:in) / Wang, X. (Autor:in) / Pan, W. (Autor:in) / Wang, L. (Autor:in) / Ouyang, J. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 270 ; 319-323

Erscheinungsdatum:

01.01.2013

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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