Dependence of the optoelectronic properties of selenium-hyperdoped silicon on the annealing temperature: Fid-Bau Portal

Dependence of the optoelectronic properties of selenium-hyperdoped silicon on the annealing temperature

Hu, S. / Han, P. / Mi, Y. / Xing, Y. / Liang, P. / Fan, Y.

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Titel:

Dependence of the optoelectronic properties of selenium-hyperdoped silicon on the annealing temperature

Beteiligte:

Hu, S. (Autor:in) / Han, P. (Autor:in) / Mi, Y. (Autor:in) / Xing, Y. (Autor:in) / Liang, P. (Autor:in) / Fan, Y. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 16 ; 987-991

Erscheinungsdatum:

01.01.2013

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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