High Mobility N-Type Transistors Based on Solution-Sheared Doped 6,13-Bis(triisopropylsilylethynyl)pentacene Thin Films: Fid-Bau Portal

High Mobility N-Type Transistors Based on Solution-Sheared Doped 6,13-Bis(triisopropylsilylethynyl)pentacene Thin Films

Naab, B. D. / Himmelberger, S. / Diao, Y. / Vandewal, K. / Wei, P. / Lussem, B. / Salleo, A. / Bao, Z.

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Titel:

High Mobility N-Type Transistors Based on Solution-Sheared Doped 6,13-Bis(triisopropylsilylethynyl)pentacene Thin Films

Beteiligte:

Naab, B. D. (Autor:in) / Himmelberger, S. (Autor:in) / Diao, Y. (Autor:in) / Vandewal, K. (Autor:in) / Wei, P. (Autor:in) / Lussem, B. (Autor:in) / Salleo, A. (Autor:in) / Bao, Z. (Autor:in)

Erschienen in:

ADVANCED MATERIALS -DEERFIELD BEACH THEN WEINHEIM- ; 25 ; 4663-4667

Erscheinungsdatum:

01.01.2013

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0935-9648

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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