Simulation of temperature field during nanoscale orthogonal cutting of single-crystal silicon by molecular statics method: Fid-Bau Portal

Simulation of temperature field during nanoscale orthogonal cutting of single-crystal silicon by molecular statics method

Lin, Z. C. / Lin, M. H. / Hsu, Y. C.

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Titel:

Simulation of temperature field during nanoscale orthogonal cutting of single-crystal silicon by molecular statics method

Beteiligte:

Lin, Z. C. (Autor:in) / Lin, M. H. (Autor:in) / Hsu, Y. C. (Autor:in)

Erschienen in:

COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE ; 81 ; 58-67

Erscheinungsdatum:

01.01.2014

Format / Umfang:

10 pages

ISSN:

0927-0256

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.1 / 510

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