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    Titel:

    Ultralow temperature ramping rate of LT to HT for the growth of high quality Ge epilayer on Si (100) by RPCVD

    Beteiligte:

    Chen, D. (Autor:in) / Xue, Z. (Autor:in) / Wei, X. (Autor:in) / Wang, G. (Autor:in) / Ye, L. (Autor:in) / Zhang, M. (Autor:in) / Wang, D. (Autor:in) / Liu, S. (Autor:in)

    Erschienen in:

    APPLIED SURFACE SCIENCE ; 299 ; 1-5

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2014

    Format / Umfang:

    5 pages

    ISSN:

    0169-4332

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.35

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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