Growth of Low Resistivity n-Type 4H-SiC Bulk Crystals by Sublimation Method Using Co-Doping Technique: Fid-Bau Portal

Growth of Low Resistivity n-Type 4H-SiC Bulk Crystals by Sublimation Method Using Co-Doping Technique

Kato, T. / Eto, K. / Takagi, S. / Miura, T. / Urakami, Y. / Kondo, H. / Hirose, F. / Okumura, H.

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Titel:

Growth of Low Resistivity n-Type 4H-SiC Bulk Crystals by Sublimation Method Using Co-Doping Technique

Beteiligte:

Kato, T. (Autor:in) / Eto, K. (Autor:in) / Takagi, S. (Autor:in) / Miura, T. (Autor:in) / Urakami, Y. (Autor:in) / Kondo, H. (Autor:in) / Hirose, F. (Autor:in) / Okumura, H. (Autor:in) / Okumura, H. / Harima, H.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2013 PART 1 Selected, peer reviewed papers from the 15^t^h International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, (ICSCRM 2013), September 29 - October 4, 2013, Miyazaki, Japan ; 47-50

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 778/780

Erscheinungsdatum:

01.01.2014

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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