Properties of Al Ohmic Contacts to n-type 4H-SiC Employing a Phosphorus-Doped and Crystallized Amorphous-Silicon Interlayer: Fid-Bau Portal

Properties of Al Ohmic Contacts to n-type 4H-SiC Employing a Phosphorus-Doped and Crystallized Amorphous-Silicon Interlayer

Hanafusa, H. / Ohta, A. / Ashihara, R. / Maruyama, K. / Mizuno, T. / Hayashi, S. / Murakami, H. / Higashi, S.

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Titel:

Properties of Al Ohmic Contacts to n-type 4H-SiC Employing a Phosphorus-Doped and Crystallized Amorphous-Silicon Interlayer

Beteiligte:

Hanafusa, H. (Autor:in) / Ohta, A. (Autor:in) / Ashihara, R. (Autor:in) / Maruyama, K. (Autor:in) / Mizuno, T. (Autor:in) / Hayashi, S. (Autor:in) / Murakami, H. (Autor:in) / Higashi, S. (Autor:in) / Okumura, H. / Harima, H.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2013 ; 649-652

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 778/780

Erscheinungsdatum:

01.01.2014

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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