SiC Trench MOSFET with an Integrated Low Von Unipolar Heterojunction Diode: Fid-Bau Portal

SiC Trench MOSFET with an Integrated Low Von Unipolar Heterojunction Diode

Ni, W. / Emori, K. / Marui, T. / Saito, Y. / Yamagami, S. / Hayashi, T. / Hoshi, M.

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Titel:

SiC Trench MOSFET with an Integrated Low Von Unipolar Heterojunction Diode

Beteiligte:

Ni, W. (Autor:in) / Emori, K. (Autor:in) / Marui, T. (Autor:in) / Saito, Y. (Autor:in) / Yamagami, S. (Autor:in) / Hayashi, T. (Autor:in) / Hoshi, M. (Autor:in) / Okumura, H. / Harima, H. / Kimoto, T.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2013 ; 923-926

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 778/780

Erscheinungsdatum:

01.01.2014

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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