4H-SiC Trench MOSFET with Thick Bottom Oxide: Fid-Bau Portal

4H-SiC Trench MOSFET with Thick Bottom Oxide

Takaya, H. / Morimoto, J. / Yamamoto, T. / Sakakibara, J. / Watanabe, Y. / Soejima, N. / Hamada, K.

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Titel:

4H-SiC Trench MOSFET with Thick Bottom Oxide

Beteiligte:

Takaya, H. (Autor:in) / Morimoto, J. (Autor:in) / Yamamoto, T. (Autor:in) / Sakakibara, J. (Autor:in) / Watanabe, Y. (Autor:in) / Soejima, N. (Autor:in) / Hamada, K. (Autor:in) / Lebedev, A.A. / Davydov, S.Y. / Ivanov, P.A.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2012 Selected, peer reviewed papers from the 9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2012), September 2-6, 2012, St. Petersburg, Russian Federation ; 683-686

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 740/742

Erscheinungsdatum:

01.01.2013

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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