Properties of Individual Dopant Atoms in Single-Layer MoS2: Atomic Structure, Migration, and Enhanced Reactivity: Fid-Bau Portal

Properties of Individual Dopant Atoms in Single-Layer MoS2: Atomic Structure, Migration, and Enhanced Reactivity

Lin, Y. C. / Dumcenco, D. O. / Komsa, H. P. / Niimi, Y. / Krasheninnikov, A. V. / Huang, Y. S. / Suenaga, K.

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Titel:

Properties of Individual Dopant Atoms in Single-Layer MoS2: Atomic Structure, Migration, and Enhanced Reactivity

Beteiligte:

Lin, Y. C. (Autor:in) / Dumcenco, D. O. (Autor:in) / Komsa, H. P. (Autor:in) / Niimi, Y. (Autor:in) / Krasheninnikov, A. V. (Autor:in) / Huang, Y. S. (Autor:in) / Suenaga, K. (Autor:in)

Erschienen in:

ADVANCED MATERIALS -DEERFIELD BEACH THEN WEINHEIM- ; 26 ; 2857-2861

Erscheinungsdatum:

01.01.2014

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0935-9648

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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