The effects of substrate nitridation on the growth of nonpolar a-plane GaN on r-plane sapphire by metalorganic chemical vapor deposition: Fid-Bau Portal

The effects of substrate nitridation on the growth of nonpolar a-plane GaN on r-plane sapphire by metalorganic chemical vapor deposition

Zhang, J. / Tian, W. / Wu, F. / Wan, Q. / Wang, Z. / Li, Y. / Dai, J. / Fang, Y. / Wu, Z.

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Titel:

The effects of substrate nitridation on the growth of nonpolar a-plane GaN on r-plane sapphire by metalorganic chemical vapor deposition

Beteiligte:

Zhang, J. (Autor:in) / Tian, W. (Autor:in) / Wu, F. (Autor:in) / Wan, Q. (Autor:in) / Wang, Z. (Autor:in) / Li, Y. (Autor:in) / Dai, J. (Autor:in) / Fang, Y. (Autor:in) / Wu, Z. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 307 ; 525-532

Erscheinungsdatum:

01.01.2014

Format / Umfang:

8 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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