Achieve high-quality InGaN/GaN multiple quantum wells on La0.3Sr1.7AlTaO6 substrates: Fid-Bau Portal

Achieve high-quality InGaN/GaN multiple quantum wells on La0.3Sr1.7AlTaO6 substrates

Wang, W. / Liu, Z. / Yang, W. / Lin, Y. / Zhou, S. / Qian, H. / Li, G.

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Titel:

Achieve high-quality InGaN/GaN multiple quantum wells on La0.3Sr1.7AlTaO6 substrates

Beteiligte:

Wang, W. (Autor:in) / Liu, Z. (Autor:in) / Yang, W. (Autor:in) / Lin, Y. (Autor:in) / Zhou, S. (Autor:in) / Qian, H. (Autor:in) / Li, G. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS LETTERS ; 128 ; 27-30

Erscheinungsdatum:

01.01.2014

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0167-577X

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.1105 / 530

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