Low-temperature-annealed alumina/polyimide gate insulators for solution-processed ZnO thin-film transistors: Fid-Bau Portal

Low-temperature-annealed alumina/polyimide gate insulators for solution-processed ZnO thin-film transistors

Yoo, S. / Yoon, J. Y. / Ryu, J. / Kim, Y. H. / Ka, J. W. / Yi, M. H. / Jang, K. S.

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Titel:

Low-temperature-annealed alumina/polyimide gate insulators for solution-processed ZnO thin-film transistors

Beteiligte:

Yoo, S. (Autor:in) / Yoon, J. Y. (Autor:in) / Ryu, J. (Autor:in) / Kim, Y. H. (Autor:in) / Ka, J. W. (Autor:in) / Yi, M. H. (Autor:in) / Jang, K. S. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 313 ; 382-388

Erscheinungsdatum:

01.01.2014

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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