Capacitance study of carrier inversion at the amorphous/crystalline silicon heterojunction passivated by different thicknesses of i-layer: Fid-Bau Portal

Capacitance study of carrier inversion at the amorphous/crystalline silicon heterojunction passivated by different thicknesses of i-layer

Mikolasek, M. / Stuchlikova, L. / Harmatha, L. / Vincze, A. / Nemec, M. / Racko, J. / Breza, J.

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Titel:

Capacitance study of carrier inversion at the amorphous/crystalline silicon heterojunction passivated by different thicknesses of i-layer

Beteiligte:

Mikolasek, M. (Autor:in) / Stuchlikova, L. (Autor:in) / Harmatha, L. (Autor:in) / Vincze, A. (Autor:in) / Nemec, M. (Autor:in) / Racko, J. (Autor:in) / Breza, J. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 313 ; 152-156

Erscheinungsdatum:

01.01.2014

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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