Capacitance properties and simulation of the AlGaN/GaN Schottky heterostructure: Fid-Bau Portal

Capacitance properties and simulation of the AlGaN/GaN Schottky heterostructure

Harmatha, L. / Lubica, S. / Juraj, R. / Juraj, M. / Juraj, P. / Peter, B. / Michal, N. / Juraj, B.

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Titel:

Capacitance properties and simulation of the AlGaN/GaN Schottky heterostructure

Beteiligte:

Harmatha, L. (Autor:in) / Lubica, S. (Autor:in) / Juraj, R. (Autor:in) / Juraj, M. (Autor:in) / Juraj, P. (Autor:in) / Peter, B. (Autor:in) / Michal, N. (Autor:in) / Juraj, B. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 312 ; 102-106

Erscheinungsdatum:

01.01.2014

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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