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A Model of Ferroelectric Field-Effect Transistor after Ionizing Radiation

Li, Z. / Xiao, Y.G. / Tang, M.H. / Chen, J.W. / Ding, H. / Yan, S.A. / Zhou, Y.C.

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Titel:

A Model of Ferroelectric Field-Effect Transistor after Ionizing Radiation

Beteiligte:

Li, Z. (Autor:in) / Xiao, Y.G. (Autor:in) / Tang, M.H. (Autor:in) / Chen, J.W. (Autor:in) / Ding, H. (Autor:in) / Yan, S.A. (Autor:in) / Zhou, Y.C. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 787 ; 247-255

Erscheinungsdatum:

01.01.2014

Format / Umfang:

9 pages

ISSN:

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Print

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

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