Interface Engineering for High-Performance Top-Gated MoS2 Field-Effect Transistors: Fid-Bau Portal

Interface Engineering for High-Performance Top-Gated MoS2 Field-Effect Transistors

Zou, X. / Wang, J. / Chiu, C. H. / Wu, Y. / Xiao, X. / Jiang, C. / Wu, W. W. / Mai, L. / Chen, T. / Li, J.

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Titel:

Interface Engineering for High-Performance Top-Gated MoS2 Field-Effect Transistors

Beteiligte:

Zou, X. (Autor:in) / Wang, J. (Autor:in) / Chiu, C. H. (Autor:in) / Wu, Y. (Autor:in) / Xiao, X. (Autor:in) / Jiang, C. (Autor:in) / Wu, W. W. (Autor:in) / Mai, L. (Autor:in) / Chen, T. (Autor:in) / Li, J. (Autor:in)

Erschienen in:

ADVANCED MATERIALS -DEERFIELD BEACH THEN WEINHEIM- ; 26 ; 6255-6261

Erscheinungsdatum:

01.01.2014

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

0935-9648

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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