High rate dry etching of (BiSb)2Te3 film by CH4/H2-based plasma: Fid-Bau Portal

High rate dry etching of (BiSb)2Te3 film by CH4/H2-based plasma

Song, J. / Shi, X. / Chen, L.

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Titel:

High rate dry etching of (BiSb)2Te3 film by CH4/H2-based plasma

Beteiligte:

Song, J. (Autor:in) / Shi, X. (Autor:in) / Chen, L. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 317 ; 457-461

Erscheinungsdatum:

01.01.2014

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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