Transistors: Aerosol Jet Printed, Sub-2 V Complementary Circuits Constructed from P- and N-Type Electrolyte Gated Transistors (Adv. Mater. 41/2014): Fid-Bau Portal

Transistors: Aerosol Jet Printed, Sub-2 V Complementary Circuits Constructed from P- and N-Type Electrolyte Gated Transistors (Adv. Mater. 41/2014)

Hong, K. / Kim, Y. H. / Kim, S. H. / Xie, W. / Xu, W. D. / Kim, C. H. / Frisbie, C. D.

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Titel:

Transistors: Aerosol Jet Printed, Sub-2 V Complementary Circuits Constructed from P- and N-Type Electrolyte Gated Transistors (Adv. Mater. 41/2014)

Beteiligte:

Hong, K. (Autor:in) / Kim, Y. H. (Autor:in) / Kim, S. H. (Autor:in) / Xie, W. (Autor:in) / Xu, W. D. (Autor:in) / Kim, C. H. (Autor:in) / Frisbie, C. D. (Autor:in)

Erschienen in:

ADVANCED MATERIALS -DEERFIELD BEACH THEN WEINHEIM- ; 26 ; 7131-7131

Erscheinungsdatum:

01.01.2014

Format / Umfang:

1 pages

ISSN:

0935-9648

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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