Selective Remanent Ambipolar Charge Transport in Polymeric Field-Effect Transistors For High-Performance Logic Circuits Fabricated in Ambient: Fid-Bau Portal

Selective Remanent Ambipolar Charge Transport in Polymeric Field-Effect Transistors For High-Performance Logic Circuits Fabricated in Ambient

Fabiano, S. / Usta, H. / Forchheimer, R. / Crispin, X. / Facchetti, A. / Berggren, M.

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Titel:

Selective Remanent Ambipolar Charge Transport in Polymeric Field-Effect Transistors For High-Performance Logic Circuits Fabricated in Ambient

Beteiligte:

Fabiano, S. (Autor:in) / Usta, H. (Autor:in) / Forchheimer, R. (Autor:in) / Crispin, X. (Autor:in) / Facchetti, A. (Autor:in) / Berggren, M. (Autor:in)

Erschienen in:

ADVANCED MATERIALS -DEERFIELD BEACH THEN WEINHEIM- ; 26 ; 7438-7443

Erscheinungsdatum:

01.01.2014

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0935-9648

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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