The role of inversion domain boundaries in fabricating crack-free GaN films on sapphire substrates by hydride vapor phase epitaxy: Fid-Bau Portal

The role of inversion domain boundaries in fabricating crack-free GaN films on sapphire substrates by hydride vapor phase epitaxy

Ahn, Y. N. / Lee, S. H. / Lim, S. K. / Woo, K. J. / Kim, H.

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Titel:

The role of inversion domain boundaries in fabricating crack-free GaN films on sapphire substrates by hydride vapor phase epitaxy

Beteiligte:

Ahn, Y. N. (Autor:in) / Lee, S. H. (Autor:in) / Lim, S. K. (Autor:in) / Woo, K. J. (Autor:in) / Kim, H. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B ADVANCED FUNCTIONAL SOLID STATE MATERIALS ; 193 ; 105-111

Erscheinungsdatum:

01.01.2015

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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