Preparation and characterization of Sn-doped β-Ga2O3 homoepitaxial films by MOCVD: Fid-Bau Portal

Preparation and characterization of Sn-doped β-Ga2O3 homoepitaxial films by MOCVD

Du, X. / Li, Z. / Luan, C. / Wang, W. / Wang, M. / Feng, X. / Xiao, H. / Ma, J.

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Titel:

Preparation and characterization of Sn-doped β-Ga2O3 homoepitaxial films by MOCVD

Beteiligte:

Du, X. (Autor:in) / Li, Z. (Autor:in) / Luan, C. (Autor:in) / Wang, W. (Autor:in) / Wang, M. (Autor:in) / Feng, X. (Autor:in) / Xiao, H. (Autor:in) / Ma, J. (Autor:in)

Erschienen in:

JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE ; 50 ; 3252-3257

Erscheinungsdatum:

01.01.2015

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0022-2461

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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