Epitaxial growth of low threading dislocation density InSb on GaAs using self-assembled periodic interfacial misfit dislocations: Fid-Bau Portal

Epitaxial growth of low threading dislocation density InSb on GaAs using self-assembled periodic interfacial misfit dislocations

Wen Jia, B. / Hua Tan, K. / Khai Loke, W. / Wicaksono, S. / Fatt Yoon, S.

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Titel:

Epitaxial growth of low threading dislocation density InSb on GaAs using self-assembled periodic interfacial misfit dislocations

Beteiligte:

Wen Jia, B. (Autor:in) / Hua Tan, K. (Autor:in) / Khai Loke, W. (Autor:in) / Wicaksono, S. (Autor:in) / Fatt Yoon, S. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS LETTERS ; 158 ; 258-261

Erscheinungsdatum:

01.01.2015

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0167-577X

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.1105 / 530

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