Atomistic simulation of the step mobility at the Al–Si(111) crystal–melt interface using molecular dynamics: Fid-Bau Portal

Atomistic simulation of the step mobility at the Al–Si(111) crystal–melt interface using molecular dynamics

Saidi, P. / Hoyt, J. J.

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Titel:

Atomistic simulation of the step mobility at the Al–Si(111) crystal–melt interface using molecular dynamics

Beteiligte:

Saidi, P. (Autor:in) / Hoyt, J. J. (Autor:in)

Erschienen in:

COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE ; 111 ; 137-147

Erscheinungsdatum:

01.01.2016

Format / Umfang:

11 pages

ISSN:

0927-0256

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.1 / 510

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