Anodic etching of GaN based film with a strong phase-separated InGaN/GaN layer: Mechanism and properties: Fid-Bau Portal

Anodic etching of GaN based film with a strong phase-separated InGaN/GaN layer: Mechanism and properties

Gao, Q. / Liu, R. / Xiao, H. / Cao, D. / Liu, J. / Ma, J.

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Titel:

Anodic etching of GaN based film with a strong phase-separated InGaN/GaN layer: Mechanism and properties

Beteiligte:

Gao, Q. (Autor:in) / Liu, R. (Autor:in) / Xiao, H. (Autor:in) / Cao, D. (Autor:in) / Liu, J. (Autor:in) / Ma, J. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 387 ; 406-411

Erscheinungsdatum:

01.01.2016

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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