Study of dry etching for GaN and InGaN-based laser structure using inductively coupled plasma reactive ion etching: Fid-Bau Portal

Study of dry etching for GaN and InGaN-based laser structure using inductively coupled plasma reactive ion etching

Kao, C. C. / Huang, H. W. / Tsai, J. Y. / Yu, C. C. / Lin, C. F. / Kuo, H. C. / Wang, S. C.

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Titel:

Study of dry etching for GaN and InGaN-based laser structure using inductively coupled plasma reactive ion etching

Beteiligte:

Kao, C. C. (Autor:in) / Huang, H. W. (Autor:in) / Tsai, J. Y. (Autor:in) / Yu, C. C. (Autor:in) / Lin, C. F. (Autor:in) / Kuo, H. C. (Autor:in) / Wang, S. C. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 107 ; 283-288

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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