Epitaxial growth of (2¯01) β-Ga2O3 on (0001) sapphire substrates by halide vapour phase epitaxy: Fid-Bau Portal

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Epitaxial growth of (2¯01) β-Ga2O3 on (0001) sapphire substrates by halide vapour phase epitaxy

Nikolaev, V.I. / Pechnikov, A.I. / Stepanov, S.I. / Nikitina, I.P. / Smirnov, A.N. / Chikiryaka, A.V. / Sharofidinov, S.S. / Bougrov, V.E. / Romanov, A.E.

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Nikolaev, V.I. / Pechnikov, A.I. / Stepanov, S.I. / Nikitina, I.P. / Smirnov, A.N. / Chikiryaka, A.V. / Sharofidinov, S.S. / Bougrov, V.E. / Romanov, A.E.

Epitaxial growth of (2¯01) β-Ga2O3 on (0001) sapphire substrates by halide vapour phase epitaxy

Nikolaev, V.I. / Pechnikov, A.I. / Stepanov, S.I. / Nikitina, I.P. / Smirnov, A.N. / Chikiryaka, A.V. / Sharofidinov, S.S. / Bougrov, V.E. / Romanov, A.E.

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Titel:

Epitaxial growth of (2¯01) β-Ga2O3 on (0001) sapphire substrates by halide vapour phase epitaxy

Beteiligte:

Nikolaev, V.I. (Autor:in) / Pechnikov, A.I. (Autor:in) / Stepanov, S.I. (Autor:in) / Nikitina, I.P. (Autor:in) / Smirnov, A.N. (Autor:in) / Chikiryaka, A.V. (Autor:in) / Sharofidinov, S.S. (Autor:in) / Bougrov, V.E. (Autor:in) / Romanov, A.E. (Autor:in)

Erschienen in:

Materials science in semiconductor processing ; 47 ; 16-19

Erscheinungsdatum:

01.01.2016

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Print

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

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