GaAsP on SiGe/Si material quality improvements with in-situ stress sensor and resulting tandem device performance: Fid-Bau Portal

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GaAsP on SiGe/Si material quality improvements with in-situ stress sensor and resulting tandem device performance

Schmieder, Kenneth J. / Gerger, Andrew / Diaz, Martin / Pulwin, Ziggy / Curtin, Michael / Wang, Li / Ebert, Chris / Lochtefeld, Anthony / Opila, Robert L. / Barnett, Allen

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Titel:

GaAsP on SiGe/Si material quality improvements with in-situ stress sensor and resulting tandem device performance

Beteiligte:

Schmieder, Kenneth J. (Autor:in) / Gerger, Andrew (Autor:in) / Diaz, Martin (Autor:in) / Pulwin, Ziggy (Autor:in) / Curtin, Michael (Autor:in) / Wang, Li (Autor:in) / Ebert, Chris (Autor:in) / Lochtefeld, Anthony (Autor:in) / Opila, Robert L. (Autor:in) / Barnett, Allen (Autor:in)

Erschienen in:

Materials science in semiconductor processing ; 39 ; 614-620

Erscheinungsdatum:

01.01.2015

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Print

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

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