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    Titel:

    Stress-induced trench narrowing in Cu interconnect of sub-20nm node: FEM simulation

    Beteiligte:

    Kim, Dong-Hyun (Autor:in) / Mhin, Sung-Wook (Autor:in) / Byun, Myung-Hwan (Autor:in)

    Erschienen in:

    Materials science in semiconductor processing ; 56 ; 100-105

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2016

    Format / Umfang:

    6 pages

    ISSN:

    1369-8001

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.38152

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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