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    Titel:

    Effects of Si-doping on characteristics of semi-polar (112̅2) plane Al0.45Ga0.55N epi-layers

    Beteiligte:

    Dai, Qian (Autor:in) / Zhang, Xiong (Autor:in) / Zhao, Jianguo (Autor:in) / Luan, Huakai (Autor:in) / Liang, Zongwen (Autor:in) / Cui, Yiping (Autor:in)

    Erschienen in:

    Materials science in semiconductor processing ; 58 ; 30-33

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2017

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    1369-8001

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.38152

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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