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    Titel:

    Mechanism of void formation in TiN/AlSiCu/TiN/plasma-enhanced tetraethyl orthosilicate SiO2 multi-layer structures via high-temperature stress migration

    Beteiligte:

    Naoe, Takuya (Autor:in) / Endoh, Hirohiko (Autor:in) / Fuchino, Fumihiro (Autor:in) / Miyata, Masanori (Autor:in) / Miyake, Hidetsugu (Autor:in) / Takahashi, Takuya (Autor:in) / Fujimoto, Takaaki (Autor:in)

    Erschienen in:

    Materials science in semiconductor processing ; 83 ; 239-248

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2018

    Format / Umfang:

    10 pages

    ISSN:

    1369-8001

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.38152

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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