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Different growth mechanisms of Ge by Stranski-Krastanow on Si (111) and (001) surfaces: An STM study

Teys, S.A.

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Titel:

Different growth mechanisms of Ge by Stranski-Krastanow on Si (111) and (001) surfaces: An STM study

Beteiligte:

Teys, S.A. (Autor:in)

Erschienen in:

Applied surface science ; 392 ; 1017-1025

Erscheinungsdatum:

01.01.2017

Format / Umfang:

9 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.44

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