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    Corrigendum to "A simple route to deposit SiO2 film with resistivity >109 Ω·μm" [Mater. Lett. 211 (2018) 277–280]

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    Titel:

    Corrigendum to "A simple route to deposit SiO2 film with resistivity >109 Ω·μm" [Mater. Lett. 211 (2018) 277–280]

    Beteiligte:

    Wang, Dengyao (Autor:in) / Liu, Jindong (Autor:in) / Lv, Zhixuan (Autor:in) / Tao, Hualong (Autor:in) / Cui, Yunxian (Autor:in) / Wang, Hualin (Autor:in) / Liu, Shimin (Autor:in) / Liu, Chaoqian (Autor:in) / Wang, Nan (Autor:in) / Jiang, Weiwei (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS LETTERS ; 213 ; 399

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2018

    Format / Umfang:

    399 pages

    ISSN:

    0167-577X

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Unbekannt

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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